在滿(mǎn)足負(fù)載電流強(qiáng)度要求的同時(shí)，提高導(dǎo)體的有效利用率。

當(dāng)高頻交流電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，由于表面效應(yīng)的影響，電流只在導(dǎo)體表面層通過(guò)，而表層深度與導(dǎo)體性質(zhì)及電流頻率有關(guān)，通常把這個(gè)表面層的深度或厚度稱(chēng)為穿透深度，用符號(hào)△。

穿通深度定義為：在交流正弦電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)，電流密度從導(dǎo)體表對(duì)導(dǎo)體中心處逐漸衰減，在導(dǎo)體某一處深度的電流密度為其表面電流密度的上一O.368時(shí)，該深度定義為電流的穿透深度。

導(dǎo)體的插入深度與導(dǎo)體電阻率P的平方根成正比，和導(dǎo)體的電流頻率f和磁導(dǎo)率，平方根成反比。隨著電流頻率的增加，集膚效應(yīng)的影響也隨之增大。導(dǎo)線(xiàn)穿過(guò)的電流頻率相同，電流波形不同，穿透深度不同，電流正弦電流的穿透深度比方波電流大。正弦電流穿透深度是方波電流在同頻率條件下的1.3倍，約為深度。