自1831年法拉第發(fā)現(xiàn)以來(lái)，從1831年到今天，作為感應(yīng)加熱技術(shù)的一個(gè)重要理論基礎(chǔ)，人類(lèi)在20世紀(jì)30年代開(kāi)始利用感應(yīng)加熱這一技術(shù)，至今僅有80年的歷史。20世紀(jì)50年代前的20年間，感應(yīng)加熱技術(shù)發(fā)展緩慢，產(chǎn)品技術(shù)水平不高，主要有工頻感應(yīng)加熱爐、電磁倍頻器、中頻發(fā)電機(jī)和電子管高頻振蕩器加熱裝置。缺少培養(yǎng)式感應(yīng)加熱生長(zhǎng)的基礎(chǔ)——電力電子技術(shù)和半導(dǎo)體功率器件。

電力半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展離不開(kāi)感應(yīng)加熱電源的技術(shù)進(jìn)步，因此，20世紀(jì)50年代出現(xiàn)了晶閘管(SCR)，為感應(yīng)加熱電源的發(fā)展帶來(lái)了生機(jī)，其結(jié)構(gòu)面貌煥然一新，出現(xiàn)了高壓大功率變頻器感應(yīng)加熱電源，熱電流頻率由工頻擴(kuò)展至中頻。60年代研制出出門(mén)極關(guān)斷晶閘管(GTO)，使感應(yīng)加熱電源再次發(fā)生變化，可用外控信號(hào)關(guān)閉，避免晶閘管需要結(jié)構(gòu)復(fù)雜的強(qiáng)制換流電路，提高了變頻器電源的可靠性。

假如晶閘管(SCR、GTO)的出現(xiàn)引起了感應(yīng)加熱電源的革命性變化，那么20世紀(jì)70年代，場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的誕生，使得感應(yīng)加熱電源的發(fā)展如虎添翼，加熱的電流頻率達(dá)到了MHz級(jí)，感應(yīng)加熱電源趨于模塊化和標(biāo)準(zhǔn)化。